以 NAND 為基礎的 Flash 存在著兩種不同的作業模式,最早被開發出來的是

  MLC 由著名 英代爾 Intel19979月開發成功。MLC 可以一次將兩個位

  元的資訊存入一個 Floating Gate之中,Floating Gate 就是快閃記憶體中用

  於存放電荷的部分。透過不同的電荷數量,MLC 能夠呈現出4種不同的存儲狀

  態,每種狀態代表兩個二進位數字值(00011011),由於這個特性稱為

  Multi Level Cell,也就 MLC 的簡稱。

  MLC Floating Gate 需要特殊的材質與製程,也因此一直到了2000年初韓國

  Samsung 公司才開發出商品化的 SLC 256MB 顆粒。相較於 MLCSLC 一次

  只儲存一組位元,就是(01),不僅程序簡單的多,效能、速度和壽命

  都有很大的進步。SLC 採用0.21μ製程,到了2002年初 Samsung 已經有能力製

  作出 1GB / 0.13μ製程的產品。不MLC 也一直在跟著演進,特別是其技術

  成熟、單價較低,2002年中 Toshiba 出了同為 1GB / 0.16 μ製程的產品,也同

  時吸引了 Samsung 的注意,並開始研究試產MLC 的可能性。截至 2004年為止,

  SLC 的技術仍領先 MLC 69個月,2GB / 0.09 μ製程的 SLC 已經接近商品化的階

  段;MLC 則也有 2GB/ 0.13μ製程的產品對應。整體來說,SLC MLC 的對比,

  也大致如上表所示,存在著性能上的差距,但也因為如此,兩者的價格也不相

  同,讓市場機制去自由決定。

 

  資料來源: 數位影像坊

 

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